当地时间8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则，涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。
该禁令对具有GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）结构的集成电路所必需的EDA/ECAD软件、以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料、包括压力增益燃烧（PGC）在内的四项技术实施了新的出口管制。
GAAFET相关EDA软件
EDA/ECAD指的是用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板性能的电子计算机辅助软件。早在8月3日，芯智讯就报道了“美国将对华断供GAAFET技术相关的EDA工具”的消息。此次禁令公布也进一步印证了该消息。
作为FinFET的继承者，GAAFET被认为是批量生产3nm及以下半导体制程工艺的关键技术。今年6月底，三星已宣布率先量产基于GAAFET技术的3nm工艺。而台积电目前正在量产的3nm仍然是基于FinFET技术，预计将会在2nm导入GAAFET技术。
也就是说，美国此次的禁令将限制可以被用于3nm及以下先进半导体制程工艺芯片设计的EDA软件的对华出口。此举将限制中国芯片设计厂商向3nm及以下先进制程的突破。
BIS目前还正在征求公众意见，以确定ECAD的哪些特定功能在设计砷化镓场效应晶体管电路时特别有用，以确保美国政府能够有效执行该法规。
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氧化镓和金刚石
至于宽带隙半导体材料氧化镓（Ga2O3）和金刚石（包括碳化硅SiC）：氮化镓和碳化硅是生产复杂微波、毫米波器件或高功率半导体器件的主要材料，有可能制造出更复杂的器件，能够承受更高的电压或温度。
目前，以碳化硅和氮化镓为代表的化合物半导体受到的
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