SciRep大气条件下InP和金刚石

编辑推荐：本文通过典型的表面清洁和低温退火工艺在大气条件下直接将氧等离子体活化的InP基板键合在NH3/H2O2处理过的金刚石衬底上，以实现高效散热，为下一代高频和高功率操作的InP器件晶体管的制备提供了先进的热管理。磷化铟具有高电子传输速度、低接触电阻和大异质结偏移等优势，被作为下一代高频高功率电子器件的新型半导体材料。随着电子设备的小型化和高功率运行需求渐涨，这些高功率密度设备的散热问题成了集成电路行业发展的绊脚石。金刚石具有固体材料中最高的热导率(W/m/K)，以金刚石作为散热衬底与器件直接键合是减小热阻的理想选择。而目前关于InP和金刚石衬底直接键合的研究很少。来自日本国家先进工业科学技术研究所的TakashiMatsumae团队通过将氧等离子体活化的InP基板和用NH3/H2O2清洁的金刚石衬底在大气条件下接触，随后将InP/金刚石复合样品在°C下退火，使两种材料通过厚度为3nm的非晶中间层形成了剪切强度为9.3MPa的原子键。相关论文以题为“LowtemperaturedirectbondingofInPanddiamondsubstratesunderatmosphericconditions”发表在ScientificReports。论文链接：

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