项目简介:金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体,在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体,被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化,可以极大地推进我国半导体的革命性变革,实现我国微电子行业的跨越式发展,达到国际先进水平。本项目在国已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造,利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品,实现了克隆衬底工艺的全线贯通,具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测,随着金刚石半导体的发展,在年,中国的市场规模达到亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用,成本较低,经济效益显著。
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