APCSCRM
第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议
第三轮通知
7月20日-22日徐州博顿温德姆酒店
会议简介
碳化硅等宽禁带半导体（SiC,GaN,Ga2O3,AlN,金刚石等）近年来已成为全球高新技术领域竞争的战略制高点和国际半导体及材料领域研究和发展的热点，在国民经济、国防安全、国际竞争和社会民生等领域具有重要的战略意义。
APCSCRM作为亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平论坛之一，广泛地涵盖了宽禁带材料及相关器件的多学科主题，包括晶体及外延生长、材料特性、功率和光电子器件、封装模块、系统解决方案和应用等内容。年即将于7月20日-22日在江苏省徐州市博顿温德姆酒店举办第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议。本届会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、SEMI（国际半导体产业协会）和中国晶体学会联合主办，江苏天科合达半导体有限公司承办，参会规模余人。会议将进一步推动亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的发展，促进政、产、学、研、用之间的交流与协同创新。
01
组织机构
指导单位：
徐州经济技术开发区管理委员会
主办单位：
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
中国科学院物理研究所
中国电子材料行业协会半导体材料分会
SEMI（国际半导体产业协会）
中国晶体学会
承办单位：
江苏天科合达半导体有限公司
徐州经济技术开发区招商局
协办单位：
中国科学院微电子研究所
中国科学院电工研究所
安徽长飞先进半导体有限公司
北京聚睿众邦科技有限公司
中国电子材料行业协会
江苏中科汉韵半导体有限公司
江苏省半导体行业协会
中电化合物半导体有限公司
合作媒体：
碳化硅芯观察、GaN世界、半导体行业观察
委员会
02
会议内容
会议主题
1、半导体材料生长与外延技术
2、半导体器件及可靠性
3、半导体封装及应用
会议议程（请以现场为准）
7月20日
10:00-20:00报名注册
15:00-17:30年中国宽禁带半导体产业发展高峰论坛暨中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟会员大会
18:00-20:00晚餐
7月21日
09:00-09:30开幕式
09:30-12:00大会邀请报告
12:00-13:30午餐
13:30-16:15材料/器件/应用专场报告
16:15-18:00徐州经开区集成电路及信息产业园区参观
18:30-18:40新书发布会
18:40-20:30欢迎晚宴
7月22日
09:00-11:05材料/器件/应用专场报告
11:05-12:00海报交流沟通
12:00-13:30午餐
13:30-17:00大会邀请报告
17:00-18:00闭幕式及颁奖盛典
18:30-20:00晚餐
报告嘉宾（按姓氏首字母排序）
1.Guo-QuanLu教授（弗吉尼亚理工大学，美国）
报告题目：提高碳化硅器件功率处理能力的先进封装方法
2.HideharuMatsuura教授（大阪电气通信大学，日本）
报告题目：重掺杂Al的4H-SiC的电学性能
3.JoesfLutz教授（开姆尼茨工业大学，德国）
报告题目：SiC器件的可靠性和可靠性测试
4.KatsuakiSuganuma教授（大阪大学，日本）
报告题目：宽禁带半导体功率器件Ag烧结接合及故障实时监测研究进展
5.NoriyukiIwamuro教授（筑波大学，日本）
报告题目：利用TCAD模拟研究最先进的1.2kvSiC沟道MOSFET中的UIS失效机理
6.TadatomoSuga教授（明星大学，日本）
报告题目：表面活化键合及其在先进宽禁带半导体中的应用
7.TokuyasuMizuhara总经理（罗姆半导体（北京）有限公司技术中心，日本）
报告题目：新一代SiCMOSFET助力“双碳”目标达成
8.YasutoHijikata教授（埼玉大学，日本）
报告题目：MOS界面形成的单光子源特性
9.YokooHidekazu总监（爱发科股份有限公司，日本）
报告题目：SiC离子注入技术研究进展
10.郭清副教授（浙江大学，中国）
报告题目：碳化硅超级结功率器件的研究进展
11.金智研究员（中国科学院微电子研究所，中国）
报告题目：石墨烯电子器件
12.雷光寅研究员（复旦大学，中国）
报告题目：高玻璃化转变温度环氧塑封料的开发及性能表征
13.李忠辉研究员（南京电子器件研究所，中国）
报告题目：宽禁带半导体外延材料及其功率器件研究进展
14.梁琳教授（华中科技大学，中国）
报告题目：SiCMOSFET器件极端条件失效分析与结合工况寿命评价
15.刘春俊研究员（北京天科合达半导体股份有限公司，中国）
报告题目：大尺寸SiC单晶衬底研究及产业进展
16.刘国友常务副主任（新型功率半导体器件国家重点实验室，中国）
报告题目：轨道交通高压SiC功率半导体器件研究进展与挑战
17.梅云辉教授（天津工业大学，中国）
报告题目：双面互连封装功率模块可靠性提升研究
18.宁圃奇研究员（中国科学院电工研究所，中国）
报告题目：面向电动汽车应用的SiC模块开发
19.钮应喜教授级高工（安徽长飞先进半导体有限公司，中国）
报告题目：碳化硅外延及相关技术进展
20.王宏兴教授（西安交通大学，中国）
报告题目：金刚石衬底研究进展
21.王启东研究员（中国科学院微电子研究所，中国）
报告题目：SiC功率器件封装技术探讨
22.辛振教授（河北工业大学，中国）
报告题目：电力电子系统电磁状态感知与集成
23.徐科研究员（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国）
报告题目：助熔剂法氮化镓体单晶生长研究进展
24.杨军伟总经理（东莞市中科汇珠半导体有限公司，中国）
报告题目：SiC同质厚膜外延层的新型形貌缺陷研究
25.杨树教授（浙江大学，中国）
报告题目：基于界面电荷调控的垂直型GaN功率器件
26.曾正副教授（重庆大学，中国）
报告题目：车用功率模块的热管理技术
27.张泽盛总经理（北京晶格领域半导体有限公司，中国）
报告题目：液相法生长大尺寸碳化硅单晶技术
28.张紫辉教授（河北工业大学，中国）
报告题目：GaN基肖特基势垒二极管的仿真设计与制备研究
03
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