书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：磷化铟晶片的研磨减薄
编号：JFKJ-21-
作者：炬丰科技
摘要
InP晶圆，尺寸为2英寸。通过杯型金刚石轮机械研磨，直径成功研磨至~m。该工艺首次可应用于InP光电器件的大规模生产，类似于基于晶圆旋转下进料研磨法的砷化镓器件的技术。InP研磨过程中发生的现象与砷化镓相似，如镜面研磨和粗研磨之间的快速过渡，以及大晶圆弓。然而，由于InP的磨碎导致的变形层比砷化镓的要厚，因为InP更脆弱一些。不过，它还是足够薄，不到1.5~米，可以通过轻微的化学蚀刻来消除。镜面研磨完成的表面粗糙度也较大，但用3~m金刚石晶粒获得0.15~mRmax，足够小，可用于器件制造。
介绍
磷化铟(InP)最近越来越
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