真空技术与设备网
资讯
观点?资讯?技术?知识
氮化硼（BN）是由氮原子和硼原子所构成的晶体。化学组成为43.6%的硼和56.4%的氮，具有四种不同的变体：六方氮化硼（HBN)、菱方氮化硼（RBN）、立方氮化硼（CBN）和纤锌矿氮化硼（WBN）。
1、氮化硼六方晶系结晶，最常见为石墨晶格，也有无定形变体，除了六方晶型以外，氮化硼还有其他晶型。
2、六方氮化硼为白色晶体，熔点近℃，耐高温，化学性能极为稳定，耐强酸腐蚀，具有很高的电绝缘性能。
3、摩擦系数很低、高温稳定性很好、耐热震性很好、强度很高、导热系数很高、膨胀系数较低、电阻率很大、耐腐蚀、可透微波或透红外线。
4、与石墨中的六角碳网相似，六方氮化硼中氮和硼也组成六角网状层面，互相重叠，构成晶体。晶体与石墨相似，具有反磁性及很高的异向性，晶体参数两者也颇为相近。氮化硼主要用于耐火材料、半导体固相掺杂源、原子堆的结构材料、防中子辐射的包装材料、火箭发动机组成材料等。
1、热化学气相沉积
年Sokolowski成功利用脉冲等离子体技术在低温低压下制备成立方氮化硼（CBN）膜。所用设备简单，工艺易于实现，因此得到迅速发展。已出现多种气相沉积方法，传统来讲主要是指热化学气相沉积。
2、离子束溅射技术利用粒子束溅射沉积技术，得到立方氮化硼和六方氮化硼的混合产物。这种方法虽然杂质较少，但是由于反应条件难以控制，因此产物的形态难以控制，对这种方法的研究还有很大的发展潜力，同时氮化硼也广泛应用于作为高耐温的蒸发容器。
C-BN作为一种宽禁带（带隙6.4eV）半导体材料，具有高热导率、高电阻率、高迁移率、低介电常数、高击穿电场、能实现双型掺杂且具有良好的稳定性，它与金刚石、SiC和GaN一起被称为继Si、Ge及GaAs之后的第三代半导体材料，它们的共同特点是带隙宽，适用于制作在极端条件下使用的电子器件。与SiC和GaN相比，c-BN与金刚石有着更为优异的性质，如更宽的带隙、更高的迁移率、更高的击穿电场、更低的介电常数和更高的热导率。显然作为极端电子学材料，c-BN与金刚石更胜一筹。然而作为半导体材料金刚石有它致命的弱点，即金刚石的n型掺杂十分困难（其n型掺杂的电阻率只能达到Ω·cm，远远未达到器件标准），而C-BN则可以实现双型掺杂。例如，在高温高压合成以及薄膜制备过程中，添加Be可得到P型半导体；添加S、C、Si等可得到n型半导体。因此综合看来c-BN是性能最为优异的第三代半导体材料，不仅能用于制备在高温、高频、大功率等极端条件下工作的电子器件，而且在深紫外发光和探测器方面有着广泛的应用前景。事实上，最早报道了在高温高压条件下制成的c-BN发光二极管，可在℃的温度下工作，在正向偏压下二极管发出肉眼可见的蓝光，光谱测量表明其最短波长为nm（5.8eV）。C-BN具有和GaAs、Si相近的热膨胀系数，高的热导率和低的介电常数，绝缘性能好，化学稳定性好，使它成为集成电路的热沉材料和绝缘涂覆层。此外C-BN具有负的电子亲和势，可以用于冷阴极场发射材料，在大面积平板显示领域具有广泛的应用前景。
在光学应用方面，由于C-BN薄膜硬度高，并且从紫外（约从nm开始）到远红外整个波段都具有高的透过率，因此适合作为一些光学元件的表面涂层，特别适合作为硒化锌（ZnSe）、硫化锌（ZnS）等窗口材料的涂层。此外，它具有良好的抗热冲击性能和硬度，有望成为大功率激光器和探测器的理想窗口材料。
来源：诺兴光电
-End-专业
联系电话：