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炬丰科技半导体工艺玻璃晶圆湿法刻蚀

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书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:玻璃晶圆湿法刻蚀工艺

编号:JFKJ-21-

作者:华林科纳

引言

本文的目的是寻找改进玻璃蚀刻剂的湿式蚀刻技术的方法,分析了玻璃湿蚀工艺的基本要素。为此,提出了一种改进的玻璃深湿蚀刻技术。用Cr/Au和光刻胶掩模蚀刻了一个m厚的Pyrex玻璃晶片,据我们所知,这是所报道的最佳结果。对于改进的表面,建立了高温和苏石灰玻璃的最佳溶液HF/HCl(10:1)。本文将重点研究玻璃的湿蚀刻过程,重点研究最常用的玻璃玻璃之一。

实验

玻璃蚀刻技术

玻璃蚀刻主要有三种技术:机械、干燥和湿。机械方法包括传统的金刚石钻头钻头、超声波钻孔、电化学放电或粉爆,这些方法通常用于通过玻璃晶片进行蚀刻。然而,使用这种方法不能生成光滑的表面,干式蚀刻技术包括等离子体和激光蚀刻玻璃。

目前有大量的玻璃,每一种都有不同的性质和不同的成分。玻璃是氧化物的“混合物”,这些氧化物的组成和浓度赋予了主要的性质。因此,玻璃蚀刻的表征只能进行一般术语的分析。玻璃的湿式蚀刻主要是在hf基溶液中进行的。由于成分的不同,蚀刻速率也有所不同。

图1给出了一个例子,其中三种不同的玻璃(康宁、打石灰和HoyaSD-2)在HF49%溶液中湿蚀刻,可以观察到,只有康宁呈现出恒定的蚀刻速率,而其他两种玻璃的深度在时间上有抛物线变化。对这种效应的解释可以在玻璃成分中找到。结果在蚀刻后,表面变得粗糙,随着时间的推移,蚀刻速率降低。在康宁的成分中,不溶产物的量仅为2%(氧化铝)。因此,建议在含有不溶产物的低浓度氧化物的玻璃上进行湿深蚀刻。这就是为什么在我们的实验中,我们更多地


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