化合积电自主研发生产的金刚石基氮化铝(AINonDiamond)，作为金刚石与氮化镓的缓冲层，具有均匀性好，可简化外延生长步骤，降低成本，减小异质衬底与外延层的晶格失配性等独特显著优势，为实现高质量GaN/AlGaN材料的外延制备提供保障。AINonDiamond生长工艺流程图产品参数说明：上述参数值随实际使用的检测设备或软件不同会略有差别表征结果（nm为例）1.氮化铝薄膜SEM图（50K）2.金刚石基氮化铝AFM形貌图，Ra为1.74-2.84nm3.金刚石基氮化铝（）XRD摇摆曲线，FWHM约为2.°
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