电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室是国内唯一专门从事电子元器件可靠性基础研究和技术应用的国家级重点实验室，研究水平和综合实力居行业之首。围绕电子元器件可靠性，实验室在失效机理及其数理模型、失效分析新技术、可靠性试验与评估、可靠性设计四个研究领域开展科研工作，在元器件可靠性领域的科研水平处于国内领先地位，部分领域的科研成果达到国际先进水平。
为了进一步提升重点实验室科研能力和创新水平，加强与国内高校及科研院所的交流和合作，现发布年重点实验室开放基金项目指南，欢迎相关科研人员踊跃申报。
一、选题范围
-极高冲击下加速度计的失效机制及防护技术研究研究目标针对装备中高过载、高可靠性、抗冲击能力强的加速度计需求，重点开展抗高过载MEMS传感器在极高冲击下的可靠性试验方法及仿真、失效机制、吸能材料填充与防护技术、抗高过载灌封技术、精确炸点控制及应用验证技术等研究。在现有技术基础条件下通过本项目，形成一系列仿真数据库、工艺模型库等成果，为装备发展提供技术支撑。研究内容（1）抗高过载MEMS传感器在极高冲击下的可靠性试验方法及可靠性仿真技术研究；（2）MEMS加速度计在极高冲击下的失效机制研究；（3）MEMS传感器抗高过载冲击防护技术研究，包括吸能材料填充与防护技术、抗高过载灌封技术；（4）精确炸点控制及应用验证技术研究。技术指标（1）底部填充空洞率≤5%，灌封空洞率≤5%，粘片剪切力≥20kg（2）MEMS传感器在极高冲击下的失效信息不少于20条，失效模式不少于5种（3）极高冲击下的MEMS传感器可靠性试验方法规范，1份成果形式（1）极高冲击下MEMS传感器的失效机制研究报告（2）冲击试验方法规范（3）SCI论文1篇，申请发明专利1项。研究周期：年7月-年6月项目类别：一般项目资助经费：30万元联系人：董显山联系-Ga2O3器件辐射损伤机理与模型研究
研究目标针对Ga2O3器件在航空航天领域应用面临空间高能宇宙射线影响的问题，探索器件辐射损伤和性能退化的物理机制，考虑γ辐照损伤，结合仿真、试验和综合测量表征方法，构建辐射损伤物理模型，形成β-Ga2O3器件辐射效应测量评价方法，并提出相应的抗辐射加固策略，支撑β-Ga2O3器件在航空航天等恶劣辐射环境下的应用。研究内容（1）Ga2O3器件辐射诱生缺陷行为与表征技术研究；（2）Ga2O3器件辐照试验及退化物理机制研究；（3）Ga2O3器件辐射损伤物理模型研究；（4）Ga2O3器件抗辐射新技术/新结构研究。技术指标（1）Ga2O3器件辐射损伤物理模型；（2）Ga2O3器件辐射损伤退化评价方法；（3）Ga2O3器件抗辐射新结构抗辐射性能提高50%。成果形式（1）研究报告；（2）物理模型；（3）Ga2O3器件抗辐射新结构抗辐射新结构；（4）SCI论文2篇，申请发明专利1项。研究周期：年7月-年6月项目类别：一般项目资助经费：30万元联系人：雷志锋联系-GaN功率器件与金刚石衬底低温键合的研究与可靠性分析
研究目标面向高功率的GaN射频器件急迫的高性能热管理需求，开展借助高热导率金刚石衬底对GaN射频器件热源进行有效热流扩散的可靠性研究，利用高真空下表面活化键合的技术，实现GaN功率器件与化学气相沉积生长的独立金刚石衬底的低温键合，探索GaN器件在不同功率的工作条件下器件结温随热循环次数的变化，分析键合界面的长期工作可靠性，降低键合界面的界面热阻，为高功率射频微系统的换热冷却提供新方法新技术。研究内容（1）研究低温下GaN器件与金刚石衬底的直接共价键合技术，明确键合机制，降低键合工艺中GaN和金刚石材料热失配的影响，提高键合工艺可靠性；（2）研究不同功率条件下GaN功率器件结温表征方法及其随热循环次数的变化趋势，结合数值模拟手段，建立GaN器件与金刚石键合界面的界面热阻随器件工作周期的变化规律，探索金刚石衬底低温键合工艺对GaN器件长期工作可靠性的影响；（3）系统分析硅、金属（如钛）等粘附层对GaN器件与金刚石衬底表面活化键合工艺和工作可靠性的影响，建立不同粘附层下器件结温、界面热阻与热循环周期数的定量关系，为金刚石衬底在高功率密度射频系统热管理中的应用提供指导。技术指标（1）开发GaN器件与化学气相沉积生长的独立的金刚石衬底的低温键合工艺，实现GaN器件在℃条件下在1-2英寸金刚石衬底上的高可靠键合；（2）在GaN器件50%、75%和%功率的工作条件下，表征器件结温随热循环次数的变化规律，实验热循环次数不小于00次；（3）硅、金属等粘附层对GaN器件与金刚石衬底键合界面热阻影响规律的实测数据。成果形式（1）GaN器件与金刚石衬底的低温键合实物样品；（2）GaN器件与金刚石衬底键合界面热阻测试规范1份。（3）SCI论文2篇，申请发明专利1项。研究周期：年7月-年6月项目类别：一般项目资助经费：30万元联系人：周斌联系二、申请要求
申请条件：在职具有副高级以上（含副高级）职称或获博士学位的研究人员或有两名具有高级专业技术职称的科技人员推荐。研究周期：重点实验室基金课题研究周期2年。
项目经费：每项基金课题资助经费20-50万元，具体项目经费情况将根据项目申报情况确定。
截止时间：年7月11日17：00。请将《基金申请书》电子文档（刻盘，贴标签备注单位）及纸质文档（1式5份，单位审查意见处盖章）提交至电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室管理办公室，逾期或未按要求报送的，不予受理。
申请及评审方式：年7月中旬（具体时间待定），重点实验室将受理并组织完成基金项目立项评审；评审形式将根据申报项目数量和具体情况组织重点实验室学术委员会会议评审或者函评；年7月31日前，重点实验室将组织完成评审结果的上报。
三、联系方式
联系人：罗潇
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